三菱整流橋

在整流(liu)橋(qiao)(qiao)的(de)(de)(de)每個(ge)(ge)工作周(zhou)期內，同一(yi)時間只有(you)兩(liang)個(ge)(ge)二極(ji)管(guan)(guan)進(jin)行(xing)工作，通(tong)過二極(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)單向導(dao)通(tong)功能，把交(jiao)流(liu)電(dian)轉換(huan)成單向的(de)(de)(de)直(zhi)(zhi)流(liu)脈動(dong)電(dian)壓(ya)。對(dui)一(yi)般(ban)常用的(de)(de)(de)小功率(lv)整流(liu)橋(qiao)(qiao)(如(ru):RECTRON SEMICONDUCTOR的(de)(de)(de)RS2501M)進(jin)行(xing)解剖會發(fa)現(xian)，其內部的(de)(de)(de)結(jie)構如(ru)圖2所示，該(gai)全(quan)波(bo)整流(liu)橋(qiao)(qiao)采用塑料封(feng)裝(zhuang)結(jie)構(大多(duo)數(shu)的(de)(de)(de)小功率(lv)整流(liu)橋(qiao)(qiao)都是采用該(gai)封(feng)裝(zhuang)形式)。橋(qiao)(qiao)內的(de)(de)(de)四(si)個(ge)(ge)主要(yao)發(fa)熱元(yuan)器件--二極(ji)管(guan)(guan)被分成兩(liang)組分別放置在直(zhi)(zhi)流(liu)輸出(chu)的(de)(de)(de)引(yin)腳銅(tong)板上。在直(zhi)(zhi)流(liu)輸出(chu)引(yin)腳銅(tong)板間有(you)兩(liang)塊連接(jie)銅(tong)板，他們分別與輸入(ru)引(yin)腳(交(jiao)流(liu)輸入(ru)導(dao)線)相(xiang)連，形成我們在外(wai)(wai)觀上看見(jian)的(de)(de)(de)有(you)四(si)個(ge)(ge)對(dui)外(wai)(wai)連接(jie)引(yin)腳的(de)(de)(de)全(quan)波(bo)整流(liu)橋(qiao)(qiao)。

一般(ban)而言，對于損(sun)耗比較小(xiao)(<3.0W)的(de)元器件(jian)都可以采用自然冷(leng)卻的(de)方(fang)式來解決元器件(jian)的(de)散(san)(san)熱(re)(re)問(wen)題。當整(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)(qiao)的(de)損(sun)耗不大時(shi)(shi)，可采用自然冷(leng)卻方(fang)式來處理。此時(shi)(shi)，整(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)(qiao)的(de)散(san)(san)熱(re)(re)途徑主(zhu)要有以下(xia)兩(liang)個(ge)方(fang)面(mian)(mian)(mian):整(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)(qiao)的(de)殼體(ti)(包(bao)括前后兩(liang)個(ge)比較大的(de)散(san)(san)熱(re)(re)面(mian)(mian)(mian)和上下(xia)與(yu)(yu)左(zuo)右(you)(you)散(san)(san)熱(re)(re)面(mian)(mian)(mian))和整(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)(qiao)的(de)四個(ge)引腳。通常情(qing)況下(xia)，整(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)(qiao)的(de)上下(xia)和左(zuo)右(you)(you)的(de)殼體(ti)表(biao)面(mian)(mian)(mian)積(ji)相(xiang)對于前后面(mian)(mian)(mian)積(ji)都比較小(xiao)，因此在(zai)分析時(shi)(shi)都不考慮通過這(zhe)四個(ge)面(mian)(mian)(mian)(上下(xia)與(yu)(yu)左(zuo)右(you)(you)表(biao)面(mian)(mian)(mian))的(de)散(san)(san)熱(re)(re)。

在(zai)這(zhe)兩個(ge)主要的(de)(de)(de)散(san)(san)(san)熱(re)(re)途(tu)(tu)徑(jing)中，由于自然(ran)冷卻散(san)(san)(san)熱(re)(re)的(de)(de)(de)換熱(re)(re)系數一般都比(bi)較小(xiao)(<10W/ m2C)，并且整流橋(qiao)前后散(san)(san)(san)熱(re)(re)面(mian)的(de)(de)(de)絕對面(mian)積也比(bi)較小(xiao)，因此實際上通(tong)過(guo)該(gai)途(tu)(tu)徑(jing)的(de)(de)(de)散(san)(san)(san)熱(re)(re)量也是十分有(you)限的(de)(de)(de);由于引腳銅(tong)板(ban)是直(zhi)接與發熱(re)(re)元器件(二級管)相連接的(de)(de)(de)，并且其材料為(wei)銅(tong)，導熱(re)(re)性能很好(hao)，所以在(zai)自然(ran)冷卻散(san)(san)(san)熱(re)(re)的(de)(de)(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，整流橋(qiao)的(de)(de)(de)大部分損耗是通(tong)過(guo)該(gai)引腳把熱(re)(re)量傳遞(di)給PCB板(ban)，然(ran)后由PCB板(ban)擴充其換熱(re)(re)面(mian)積而散(san)(san)(san)發到周圍的(de)(de)(de)環境中去。具體的(de)(de)(de)分析計算如下(xia):

由于該系列整流橋(qiao)都(dou)是采用塑料封裝結構，在上述的二(er)極管、引腳銅(tong)板、連(lian)接銅(tong)板以及(ji)連(lian)接導線(xian)的周圍充(chong)滿(man)了(le)作為(wei)絕緣、導熱的骨架填(tian)充(chong)物質--環(huan)(huan)氧樹脂。然而，環(huan)(huan)氧樹脂的導熱系數(shu)是比(bi)較低的(一般為(wei)0.35℃W/m，最高為(wei)2.5℃W/m)，因此整流橋(qiao)的結--殼熱阻(zu)一般都(dou)比(bi)較大(通(tong)(tong)常(chang)為(wei)1.0~10℃/W)。通(tong)(tong)常(chang)情況下，在元器(qi)(qi)件(jian)的相關參數(shu)表里，都(dou)會提供該器(qi)(qi)件(jian)在自然冷(leng)(leng)卻(que)情況下的結-環(huan)(huan)境(jing)的熱阻(zu)(Rja)和當元器(qi)(qi)件(jian)自帶一散熱器(qi)(qi)，通(tong)(tong)過散熱器(qi)(qi)進行器(qi)(qi)件(jian)冷(leng)(leng)卻(que)的結--殼熱阻(zu)(Rjc)。

型號(三相橋模塊) 技術指標 批價(元) 型號(三相橋模塊) 技術指標 批價(元)
RM10TA-M(H) 20A/400V(800V)/6U 98/100 RM20TPM-24(2H) 40A/1200V(1600V)/6U 257/260
RM10TA-24S(2H) 20A/1200V(1600V)/6U 124/140 RM30TA-M(H) 7/400V(800V)/6U 230/260
RM10TB-M(H) 20A/400V(800V)/6U 98/100 RM30TB-M(H) 60A/400V(800V)/6U 257/260
RM15TA-M(H) 30A/400V(800V)/6U 100/120 RM30TC-24(2H) 60A/1200V(1600V)/6U 400/450
RM15TA-24(2H) 30A/1200V(1600V)/6U 130/160 RM30TC-40 60A/2000V/6U 900
RM15TB-M(H) 30A/400V(800V)/6U 100/120 RM30TPM-M(H) 60A/400V(800V)/6U 257/260
RM15TC-40 30A/2000V/6U 800 RM50TC-24(2H) 100A/1200V(1600V)/6U 500/550
RM20TA-24(2H) 40A/1200V(1600V)/6U 257/260 RM50TC-H 100A/800V/6U 480
RM20TPM-M(H) 40A/400V(800V)/6U 180/198 RM75TC-24(2H) 150A/1200V(1600V)/6U 700/750
RM10TN-H/2H   RM75TC-H 150A/800V/6U 700
RM20TN-H/2H   RM25TN-H/2H  
  RM40TN-H/2H  
三菱整流橋